摘要：基于非對稱氧化技術,引入氧化孔徑橫向光場損耗各向異性,使得TE/TM偏振光功率差進一步增加,TM偏振得到有效抑制,從而實現795nm垂直腔面發射激光器單偏振穩定輸出。實驗結果顯示:當氧化孔徑為7μm×5.5μm時,不同溫度下偏振抑制比均在10dB以上,最高達到16.56dB;當氧化孔徑為20μm×18μm時,偏振抑制比也可以達到15.96dB。最終,得到偏振抑制比為16dB、水平發散角為8.349°、垂直發散角為9.340°的單偏振穩定輸出795nm垂直腔面發射激光器(VCSEL),為實現單偏振高光束質量VCSEL激光光源提供了實驗基礎。