摘要：繼硅(Si)和砷化鎵(GaAs)之后,半導(dǎo)體材料出現(xiàn)了第三代以氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料,其特點(diǎn)包括臨界擊穿電場高、飽和電子速度高、電子密度高、電子遷移率高及導(dǎo)熱率高等,是一種適用于高頻、高壓、高溫、大功率的抗輻射等級(jí)高的半導(dǎo)體材料。由于GaN器件的開關(guān)特性、驅(qū)動(dòng)技術(shù)及損耗機(jī)制相比Si MOSFET有顯著差異,如何實(shí)現(xiàn)合理的驅(qū)動(dòng),對(duì)發(fā)揮其優(yōu)勢(shì)至關(guān)重要。以同步Buck變換器為例提出一種諧振驅(qū)動(dòng)技術(shù),并給續(xù)流管柵極加一偏置電壓,以減小反向壓降、提高效率。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,此諧振驅(qū)動(dòng)技術(shù)可有效提高驅(qū)動(dòng)的可靠性,加載偏置電壓后變換器的效率也可得到有效提高。