摘要：為解決在MEMS器件深腔結構中出現的引線斷裂問題，提出了一種W／WNx／Cr／Au四層金屬引線制作方法，解決了Au擴散和深腔結構中引線斷裂的問題。通過選擇噴膠法，選擇最合適的光刻參數，解決深腔金屬引線光刻難題，制備得到W／WNx／Cr／Au四層金屬引線，該引線具有低電阻率、高穩定性等優點，完全滿足MEMS器件引線連接要求。