摘要：對在不同厚度二氧化硅下刻蝕離子對懸浮結構造成的反濺刻蝕損傷進行對比研究，獲得了最優防反濺二氧化硅厚度。在最小和最大刻蝕尺寸一定的情況下，硅互連引線上熱氧化生長厚度分別為2000A°、1000A°、600A°和400A°,的二氧化硅，通過刻蝕釋放實驗觀察刻蝕后硅引線和懸浮結構背面形貌。可獲得最優二氧化硅厚度為600A°，此時刻蝕離子對懸浮結構背面反濺刻蝕損傷最小。