摘要：制備低應力的氮化硅薄膜是微機械系統和集成電路中非常重要的工藝。在溫度不高于80℃的條件下,采用ICP-CVD設備,利用硅烷和氮氣作為前驅體沉積氮化硅介質薄膜。研究了沉積溫度、ICP功率、硅烷與氮氣流量比例、工作氣壓等因素對氮化硅薄膜應力的影響,并利用相關的理論合理解釋了應力隨不同工藝參數變化的原因。根據研究結果,我們優化了氮化硅薄膜沉積的工藝參數,在70℃低溫條件下,制備出厚度160 nm,應力0.03 MPa的低應力氮化硅介質薄膜。