摘要：隨著工藝制程的不斷進展,淺溝槽隔離技術(shù)(STI)成為深亞微米后的主流隔離技術(shù)。文章通過測試分析不同柵到有源區(qū)距離(SA)晶體管(MOSFET)器件的柵和襯底電流,分析了180nm N溝道晶體管中STI對于柵和襯底電流的影響。結(jié)果表明柵電流隨著SA的縮小呈現(xiàn)先縮小后增大的趨勢,襯底電流在常溫以及高溫下都隨著SA的減小而減小。文章用應(yīng)力機制導(dǎo)致的遷移率以及載流子濃度的變化對柵和襯底電流的變化趨勢進行了分析,通過改進伯克利短溝道絕緣柵場效應(yīng)晶體管模型(BSIM)模擬了STI對襯底電流的影響,為設(shè)計人員進行低功耗設(shè)計提供了襯底電流模型。